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Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFK26N120P
IXFX26N120P
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
1200V
26A
500m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
1200
1200
± 30
± 40
26
60
V
V
V
V
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
13
1.5
960
A
J
W
G
D
S
Tab
dv/dt
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
20
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Fast Intrinsic Diode
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 200
V
nA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
5 mA
Power Supplies
DC-DC Converters
Discharger Circuits in Lesers Pulsers,
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
500 m Ω
Spark Igniters, RF Generators
High Voltage Pulse Power Supplies
AC and DC Motor Drives
High Speed Power Switching
Application
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99740H(10/11)
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